1.中国OLED企业崭露头角，填补韩企下滑市场份额；

2.受台积电强劲财报与AI需求推动，ASML市值突破5000亿美元；

3.以硅桥取代中介层：英特尔EMIB封装强调成本与设计自由度优势；

1.中国OLED企业崭露头角，填补韩企下滑市场份额；

在大型有机发光二极管（OLED）面板市场，韩国显示器公司一直占据着压倒性的份额，而中国公司去年增加了他们的影响力。

据报道，三星显示器和LG Display这两家领先企业，他们的市场份额同比有所下降，中国公司填补了这一空白。中国似乎准备通过大规模投资，中国似乎已准备好通过大规模投资，在OLED领域发起一场规模攻势，不仅在小尺寸OLED市场，而且在中大尺寸OLED市场也将有所斩获。

根据市场研究公司Omdia的估计，去年大型OLED的出货量同比增长12.9%，达到3370万块。

按公司划分，三星显示器去年在大型OLED出货量份额中保持了首位，占50.9%。然而，与其2024年的份额（52.5%）相比，出现了1.6个百分点的下降。LG Display的市场份额也有所下降。其市场份额从2024年的33.1%降至去年的31.8%，同比下降1.3个百分点。

相比之下，中国显示器公司和辉光电（EDO）的份额从10.1%上升到14.8%，同期增长了4.7个百分点。

尽管大型OLED总出货量有所增加，但韩国公司的份额有所下降，而中国公司的份额有所上升。

中国在包括液晶显示器（LCD）在内的整体显示器市场依然保持强劲势头。去年，中国京东方（BOE）在大型显示器（LCD+OLED）总出货量中占据35.0%的市场份额，继续保持领先地位；紧随其后的是中国家电公司TCL旗下的华星光电（CSOT），市场份额为15.8%；以及中国台湾富士康集团旗下的面板制造商群创光电（Innolux），市场份额为11.3%。

随着采用OLED的IT设备份额的增加，预计中韩两国显示器公司之间的竞争将进一步加剧。根据市场研究公司UBI Research的预测，全球IT领域OLED的出货量预计将从去年的2400万块增加一倍多，到2029年达到5300万块。目前，苹果等全球公司正在扩大OLED在IT产品中的应用，面板制造商也在加快对8.6代OLED的投资。

2.受台积电强劲财报与AI需求推动，ASML市值突破5000亿美元；

欧洲半导体设备巨头阿斯麦（ASML）股价近期持续攀升并创下历史新高，主要受到其最大客户台积电强劲财报的提振。自台积电公布业绩以来，阿斯麦股价已上涨约7%。

作为全球唯一能供应高端人工智能芯片所需复杂光刻机的厂商，阿斯麦在本周四一度成为欧洲第三家市值突破5000亿美元的公司，市值达到约4500亿欧元（约合5220亿美元）。2026年以来，其股价累计涨幅已达25%。

摩根士丹利周四表示，在芯片制造商持续加大资本支出以满足AI需求的背景下，阿斯麦股价在乐观情景下仍有70%的上涨空间。该行指出，若科技板块估值继续上升且公司盈利超预期，股价有望升至2000欧元，其当前目标价为1400欧元。报告称：“2027年代工和存储芯片资本支出高于预期，以及中国市场需求好于担忧，增强了我们对2027财年盈利增长的信心。我们预计未来2-3个季度的新增订单将印证这一趋势。”

美国银行周五在分析报告中指出，台积电的资本支出指引“显著”超出此前预期，这为阿斯麦带来近期上行支撑，“因为极紫外光刻（EUV）和先进沉积设备对提升制造效率至关重要”。

随着全球AI竞争白热化，相关产业链公司的表现持续强劲。2026年初，提供存储芯片的企业股价普遍上扬，存储芯片是英伟达和AMD设计的高性能半导体中的关键组件。据Counterpoint Research预测，2026年第一季度存储芯片价格还将进一步上涨40%-50%。

摩根大通周三在报告中表示：“阿斯麦股价大涨，源于市场预期半导体制造商将从2026年底开始大幅增加资本支出。三星作为目前唯一拥有可用洁净室空间的DRAM大厂，本季度很可能大幅增加订单，台积电的订单预计也将保持强劲。”DRAM（动态随机存取存储器）是AI运算中存储数据所必需的一类内存芯片。

本月初，英伟达主要合作伙伴、全球最大电子代工及数据中心服务器制造商富士康公布，2025年第四季度营收同比增长22%。

此外，台积电周四再获利好：美国宣布将对中国台湾地区产品关税限制在15%以内，前提是台湾芯片及科技公司在美国投资至少2500亿美元产能。台积电是阿斯麦的最大客户。

阿斯麦预计将于1月28日公布2026年第四季度财报。

3.以硅桥取代中介层：英特尔EMIB封装强调成本与设计自由度优势；

英特尔本周四发表的文章详细介绍了其EMIB（嵌入式多芯片互连桥）封装技术的优势，并将其与业界普遍采用的2.5D封装方案进行对比。公司强调，EMIB在成本、设计复杂度和系统灵活性方面表现更优，更适合支撑下一代高性能芯片的扩展。

目前行业主流的2.5D封装方案依赖一整块硅中介层和硅通孔（TSV）来实现芯粒间的互连。英特尔指出，这种方案不仅因为使用大面积的硅中介层而推高成本，TSV工艺还可能影响整体良率，同时在芯片尺寸和芯粒组合方式上也缺乏灵活性，限制了异构设计的自由度。

相比之下，EMIB技术通过将微小的硅桥直接嵌入封装基板，仅在需要连接的芯粒下方进行精准互连，从而免去了整块硅中介层。这种方式不仅降低了材料与制造成本，也使得芯片布局更加灵活，更易于实现不同制程、不同功能的芯粒之间的异构集成。

该技术已发展出两种主要形态：一是用于逻辑芯片间或逻辑芯片与HBM内存连接的EMIB 2.5D，自2017年起已实现量产；二是与Foveros 3D封装结合的EMIB 3.5D，可用于构建极复杂的异构系统，例如集成了47个芯粒的数据中心GPU Max系列芯片。英特尔总结EMIB的核心优势在于保持正常封装良率的同时，能够显著节约成本，并简化设计流程。

随着英特尔持续推进其代工业务和先进制程节点，EMIB及相关先进封装技术已成为其关键的技术竞争力。这些技术不仅用于其自研产品，也将向代工客户开放，预计将在高端芯片制造领域进一步加剧与台积电等厂商的竞争。