俄罗斯泽列诺格勒纳米技术中心 (ZNTC) 已启动两套设计工艺为150nm的电子束光刻系统原型的全面测试。设备测试将持续约四个月。

该系统可直接在硅片上进行微电路图案化，并可无需使用掩模即可制作光掩模。这种方法适用于原型开发、研发以及小批量生产专用微电路。

与此同时，全球领先的芯片制造商（英特尔、台积电）已开始使用1.8nm~2nm工艺大规模生产处理器，并采用先进的EUV光刻机。

总体而言，俄罗斯国产150nm光刻机在元件线性尺寸方面比先进的商用标准落后75倍，在元件面积（晶体管密度）方面落后5625倍。俄罗斯的这套系统相当于2000年代初的工业水平——奔腾4处理器的时代。

俄罗斯第一副总理丹尼斯·曼图罗夫表示，俄罗斯时隔45年重返世界微电子强国之列。他预计，到2026年底，俄罗斯将掌握130nm光刻技术。（校对/赵月）