天眼查显示，京东方科技集团股份有限公司“一种发光二极管芯片及其制备方法”专利公布，申请公布日为2025年3月18日，申请公布号为CN119653936A。

本申请提供一种发光二极管芯片及其制备方法，属于显示技术领域，制备方法包括：提供包含外延层的复合衬底，复合衬底包括层叠设置的第一衬底和第二衬底，外延层设置在第一衬底背离第二衬底的一侧，第二衬底的厚度大于第一衬底的厚度；对外延层进行图形化工艺，形成多个发光单元；在发光单元背离复合衬底的一侧形成电极；将复合衬底中的第二衬底与第一衬底剥离，形成包括第一衬底及多个发光单元的中间结构体；通过划片裂片工艺分离中间结构体，形成多个发光二极管芯片。通过本申请提供的一种发光二极管芯片及其制备方法，可以降低发光二极管芯片制备中导致的破片等不良情况，并减薄发光二极管芯片的厚度，降低制备成本。